在工业电容式触摸屏中，传感器结构直接影响光学性能、信号质量、制造良率和可靠性。
在常见的架构中， SITO（单ITO） 和 DITO（双ITO） 代表了两种不同的布线策略。
虽然两者都基于相同的电容式传感原理，但它们的内层结构和制造复杂度却有着根本的不同。
本文研究了 SITO 和 DITO 之间的结构和流程级别差异，以及这些差异如何影响性能和应用程序选择。
电容式触摸传感器由采用透明导电材料（通常是 ITO）图案化的 X 轴和 Y 轴电极组成。
控制器通过测量这些电极交叉点处的电容变化来检测触摸。
关键的结构问题是：
X 和 Y 电极是布线在一个导电层上还是两个单独的层上？
这定义了 SITO 和 DITO 之间的区别。
SITO（单 ITO）
X 和 Y 电极均制造在 单 ITO 层上.
DITO（双 ITO）
X 电极和 Y 电极制造在 两个独立的 ITO 层上，并由绝缘层隔开。
传感原理是相同的。
只是 走线拓扑和绝缘方式 不同。
在 SITO 中，X 线和 Y 线必须在上交叉 同一表面.
不允许直接交叉，因此 每个交叉点都需要有 绝缘桥结构。
这是通过 OG（Over Glass）工艺实现的.
在每个十字路口：
一根线绝缘
另一条线桥接它
这启用了单侧路由，但引入了：
附加流程步骤
严格的对准要求
局部阻抗不连续性
在 DITO 中，X 和 Y 电极放置在 不同的层上.
线路交叉点自然被绝缘层隔离。
不需要桥梁结构。
这导致：
更简单的路由
更少的关键工艺步骤
更统一的电气拓扑
主要流程差异出现在 SITO 中。
简化的 SITO 流程包括：
玻璃检查
首次 ITO 沉积和图案化
通过光刻法形成 OG 桥
第二次 ITO 沉积和图案化
最终绝缘和保护
OG工艺 是核心技术壁垒.
它需要：
高精度光刻
黄光洁净室
严格的缺陷控制
桥接区域的任何缺陷都可能导致断线或短路。
DITO 避免了这种复杂性：
无桥接过程
更少的光刻步骤
对对准误差的容忍度更高
因此， DITO 通常可以实现更高的良率和更好的工艺稳定性.
SITO 去除有源区域中的一层导电层。
这导致：
更高的透过率
更低的反射
显示亮度稍高
DITO 有一个额外的导电层，它引入了：
反射率稍高
透过率稍低
差异通常在范围内 3-8%.
SITO 路由包括：
桥梁结构
局部阻抗变化
更复杂的信号路径
这需要更严格的过程控制和调整。
DITO 提供：
线路阻抗更均匀
更好的信号一致性
更高的噪声容限
对于大尺寸面板和恶劣的 EMI 环境， DITO 通常更稳健.
从生产角度来看：
多个关键光刻步骤
敏感桥结构
产量较低
单位成本较高
更高的制造风险
流程更简单
产量更高
更好的长期稳定性
成本更低
降低制造风险
这是的主要原因 DITO 成为批量生产和成本敏感型项目首选.
SITO 通常在项目确定以下优先级时使用：
薄型结构
窄边框
外观高端
典型字段：
DITO 通常在项目确定以下优先级时使用：
产量和稳定性
成本控制
大尺寸
长期可靠性
典型字段：
工厂自动化
商业终端
SITO 和 DITO 的主要区别在于 布线拓扑和制造复杂性.
SITO 提供更好的光学性能和更薄的结构，但代价是更高的工艺复杂性和更低的良率。
DITO 提供更简单的结构和更高的制造稳定性，但代价是光学性能稍低。
SITO 和 DITO 之间的选择应基于 应用要求、制造风险和成本限制，而不是基于单一性能参数。
